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IDT71V67602, IDT71V67802, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous
SRAMs with 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Commercial
Unit
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
V TERM
(2)
Terminal Voltage with
-0.5 to +4.6
V
Grade
Temperature (1)
V SS
V DD
V DDQ
Respect to GND
Commercial
0°C to +70°C
0V
3.3V±5%
2.5V±5%
V TERM (3,6)
Terminal Voltage with
Respect to GND
-0.5 to V DD
V
Industrial
-40°C to +85°C
0V
3.3V±5%
2.5V±5%
V TERM (4,6)
V TERM (5,6)
Terminal Voltage with
Respect to GND
Terminal Voltage with
Respect to GND
-0.5 to V DD +0.5
-0.5 to V DDQ +0.5
V
V
NOTE:
1. T A is the "instant on" case temperature.
Recommended DC Operating
Conditions
5311 tbl 04
T A (7)
T BIAS
T STG
Commercial
Industrial
Temperature
Under Bias
Storage
-0 to +70
-40 to +85
-55 to +125
-55 to +125
o
o
o
o
C
C
C
C
Symbol
V DD
V DDQ
V SS
Parameter
Core Supply Voltage
I/O Supply Voltage
Ground
Min.
3.135
2.375
0
Typ.
3.3
2.5
0
Max.
3.465
2.625
0
Unit
V
V
V
Temperature
V IH
Input High Voltage - Inputs
1.7
____
V DD +0.3
V
-0.3
P T
I OUT
Power Dissipation
DC Output Current
2.0
50
W
mA
V IH
V IL
Input High Voltage - I/O
Input Low Voltage
1.7
(1)
____
____
V DDQ +0.3
0.7
V
V
5311 tbl 03
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V DD terminals only.
3. V DDQ terminals only.
4. Input terminals only.
5. I/O terminals only.
6. This is a steady-state DC parameter that applies after the power supplies have
ramped up. Power supply sequencing is not necessary; however, the voltage
on any input or I/O pin cannot exceed V DDQ during power supply ramp up.
7. T A is the "instant on" case temperature.
100-pin TQFP Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MHz)
NOTE:
1. V IL (min) = -1.0V for pulse width less than t CYC/2 , once per cycle.
165 fBGA Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MHz)
5311 tbl 06
Symbol
Parameter
(1)
Conditions
Max.
Unit
Symbol
Parameter (1)
Conditions
Max.
Unit
C IN
C I/O
Input Capacitance
I/O Capacitance
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
5
7
pF
pF
C IN
C I/O
Input Capacitance
I/O Capacitance
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
7
7
pF
pF
119 BGA Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MHz)
5311 tbl 07
5311 tbl 07b
Symbol
C IN
C I/O
Parameter (1)
Input Capacitance
I/O Capacitance
Conditions
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
7
7
Unit
pF
pF
5311 tbl 07a
NOTE:
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.
6.42
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IFMD18106
CABINET STEEL 23.6X39.4X77.3 BEI
IFMD18108
CABINET STEEL 31.5X39.4X77.3 BEI
IFMD1885
CABINET STEEL 19.6X31.5X77.3 BEI
IFMD1886
CABINET STEEL 23.6X31.5X77.3 BEI
IFMD1888
CABINET STEEL 31.5X31.5X77.3 BEI
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IDT71V67602S166BQ8
功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
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功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V67602S166BQG8
功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
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